光敏晶体管的主要特性
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光敏晶体管的基本结构光敏晶体管多采用N型硅单晶NPN结构，并且在工艺上将 基区面积制作的较大，发射区面积较小。这种特殊结构，能使人射光多数被基区吸收。当光 敏晶体管集电极施加正电压、基区开路时，即集电极工作于反向偏置状态，光照射到基区就 会激发出光生电子空穴对，光生电子被拉到集电区，而空穴则滞留在基区靠近发射结的一边， 使发射结的电压升高，形成输出电流.并且集电区输出电流为光生电流的p倍。这样，光敏 晶体管就完成了光电转换。
光敏晶体管可以制成多种类型的光敏传感器，其输出电路简单，输出电流较大，尤其在 低频光敏传感器电路中广泛应用。
光敏晶体管有一个最佳灵敏度峰值波长。当人射光的波长偏离峰值波长时，光敏晶体管的灵敏 度将显著减小。这是因为当人射光的波长较短时，光子在半导体表面就被吸收掉，并且光子 在半导体表面激发出的电子空穴对也不能到达PN结，所以相对灵敏度就较低，而当人射光的 波长较长时，由于光子的能量较小，不足以激发出电子空穴对，所以相对灵敏度也较低.
光敏晶体管的伏安特性光敏晶体管鬓 在光不同照度下的伏安特性曲线，如同普通晶 体晶体管在不同基极电流作用下的输出特性曲 线一样。因此，可以将人射光在发射结上所产生 的光生电流比作基极电流，这样就可将光敏晶 体管看作普通晶体晶体管进行分析了。光敏晶 体管能把光信号转换成电信号，而且输出的电信号较大。
光敏晶体管的基本结构光敏晶体管多采用N型硅单晶NPN结构，并且在工艺上将 基区面积制作的较大，发射区面积较小。这种特殊结构，能使人射光多数被基区吸收。当光 敏晶体管集电极施加正电压、基区开路时，即集电极工作于反向偏置状态，光照射到基区就 会激发出光生电子空穴对，光生电子被拉到集电区，而空穴则滞留在基区靠近发射结的一边， 使发射结的电压升高，形成输出电流.并且集电区输出电流为光生电流的p倍。这样，光敏 晶体管就完成了光电转换。
光敏晶体管可以制成多种类型的光敏传感器，其输出电路简单，输出电流较大，尤其在 低频光敏传感器电路中广泛应用。
光敏晶体管有一个最佳灵敏度峰值波长。当人射光的波长偏离峰值波长时，光敏晶体管的灵敏 度将显著减小。这是因为当人射光的波长较短时，光子在半导体表面就被吸收掉，并且光子 在半导体表面激发出的电子空穴对也不能到达PN结，所以相对灵敏度就较低，而当人射光的 波长较长时，由于光子的能量较小，不足以激发出电子空穴对，所以相对灵敏度也较低.
光敏晶体管的伏安特性光敏晶体管鬓 在光不同照度下的伏安特性曲线，如同普通晶 体晶体管在不同基极电流作用下的输出特性曲 线一样。因此，可以将人射光在发射结上所产生 的光生电流比作基极电流，这样就可将光敏晶 体管看作普通晶体晶体管进行分析了。光敏晶 体管能把光信号转换成电信号，而且输出的电信号较大。
